Анализ характеристик БТГ на основе одномерной модели

В работе проведен анализ характеристик БТГ на основе одномерной модели, учитывающей влияние диффузионных профилей, закона изменения доли алюминия в AlGaAs и напряженности электрического поля на подвижность носителей. Предложенная модель позволяет провести расчет статических и динамических параметров транзистора с учетом контактных сопротивлений и параметров внешней цепи. В результате многократного моделирования получены семейства ВАХ переходов, коллекторных характеристик, предельной частоты, коэффициента усиления по току и времени переключения транзистора в зависимости от параметров гетероперехода и режима работы. Из теории биполярного транзистора известно, что при больших прямых токах в гомопереходах коэффициент инжекции уменьшается вследствие выравнивания концентрации носителей заряда по обе стороны от границы раздела рn перехода.