Применение гетероперехода в биполярном транзисторе

В гетеропереходах процесс выравнивания концетрации затягивается, так как при смещениях, близких к полному снятию контактной разности потенциалов. Оостаются стенки в зоне проводимости АЕ1 и валентной зоне АЕ2, препятствующие движению носителей заряда. Отсюда следует, что коэффициент инжекции гетероперехода должен слабее зависеть от тока прямого смещения, чем аналогичная зависимость в гомопереходе. Применение гетероперехода в биполярном транзисторе позволяет также значительно снизить сопротивление базы, так как база может быть сильно легирована без снижения эффективности эмиттера. Кроме того это позволяет существенно понизить эффект оттеснения тока эмиттера к краям перехода вследствие малого падения напряжения вдоль перехода эмиттер-база. Наряду с этим улучшаются импульсные свойства биполярного транзистора из-за высокого коэффициента усиления и низкого сопротивления базы. И, наконец, использование гетероперехода в биполярном транзисторе позволяет расширить диапазон рабочих температур.