Устройство и принцип действия биполярного транзистора

Транзистор имеет широкозонный эмиттер AlxGaxAs, базу ртипа из GaAs и коллектор птипа из GaAs. Вследствие различия потенциальных барьеров для электронов и дырок (AE2AEj) коэффициент инжекции широкозонного. Энергетическая диаграмма биполяр РАЛ КТ) будет значительно ближе к единице, чем в обычном эмиттере (обозначения общепринятые). Заметим, что в соответствующем выражении для гомоперехода отсутствует экспоненциальный множитель. Наряду с инжекцией из широкозонного эмиттера работу БТГ в широком диапазоне частот определяют следующие основные физические процессы механизм переноса носителей через базу и коллекторный переход, генерация и рекомбинация. Все эти процессы во многом определяются электрофизическими параметрами исходной гетероструктуры многослойной структуры, выращенной методом эпитаксии в едином технологическом процессе. Поэтому при разработке технологии изготовления БТГ, особенно серийной, крайне необходима модель, позволяющая прогнозировать параметры БТГ в зависимости от реальных значений электрофизических параметров материала.