Параметры и характеристики биполярного транзистора

Параметры и характеристики БТГ в значительной степени определяются законом распределения примесей в области объемного заряда гетероперехода. Реализация модели произведена на ПЭВМ типа IBM PC. Результаты расчетов сопоставляются с экспериментальными данными. При этом в базе транзистора возникает электрическое поле, которое не исчезает при высоких уровнях инжекции. Современные методы молекулярнолучевой эпитаксии позволяют выращивать слои с изменяющимся составом вдоль структуры. Гипотетическая модель такого транзистора с широкозонным эмиттером показана. Например, при использовании в качестве базы тройного соединения AlxGaixAs за счет изменения параметра состава х в пределах 00,4 ширина запрещенной зоны AlxGa. xAs линейно увеличивается от 1,42 до 1,92 эВ. Тогда при толщине варизонной базы порядка 0,10,5 мкм и параметре состава х 0,3 различие в ширине запрещенной зоны будет примерно равно 0,3 эВ, а напряженность электрического поля в базе составит кВ/см. Результаты анализа характеристик и параметров БТГ с варизонной структурой базы будут опубликованы позднее.